SSD Samsung

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

плата расширения, PCI Express 4.0 x8 (NVMe 1.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 8000/3800 MBps, случайный доступ: 1500000/250000 IOps

7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps

15.36 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

M.2, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3000/1100 MBps, случайный доступ: 400000/38000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2700 MBps, случайный доступ: 500000/500000 IOps

M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 MBps, случайный доступ: 1000000/180000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 97000/29000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/30000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/29000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3400/1500 MBps, случайный доступ: 500000/450000 IOps

M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер