Найдено 473 товара
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5150/4900 MBps, случайный доступ: 740000/800000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5150/4900 MBps, случайный доступ: 740000/800000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 МБайт/с, случайный доступ: 800000/100000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 МБайт/с, случайный доступ: 800000/100000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/720000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/720000 IOps, совместимость с PS5
плата расширения, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D XPoint, последовательный доступ: 2400/2000 MBps, случайный доступ: 550000/500000 IOps
плата расширения, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D XPoint, последовательный доступ: 2400/2000 MBps, случайный доступ: 550000/500000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы TLC, последовательный доступ: 7100/6000 МБайт/с, случайный доступ: 1150000/200000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы TLC, последовательный доступ: 7100/6000 МБайт/с, случайный доступ: 1150000/200000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7200/6600 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7200/6600 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps, совместимость с PS5
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 91000/38000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 91000/38000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с, случайный доступ: 90000/30000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с, случайный доступ: 90000/30000 IOps
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5700 MBps, случайный доступ: 1000000/1200000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5700 MBps, случайный доступ: 1000000/1200000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/220000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/220000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), SLC
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), SLC
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4150/4150 МБайт/с, случайный доступ: 600000/750000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4150/4150 МБайт/с, случайный доступ: 600000/750000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 MBps, случайный доступ: 800000/800000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 MBps, случайный доступ: 800000/800000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3a), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3140/780 МБайт/с, случайный доступ: 270000/20000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3a), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3140/780 МБайт/с, случайный доступ: 270000/20000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4800/4400 МБайт/с, случайный доступ: 225000/180200 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4800/4400 МБайт/с, случайный доступ: 225000/180200 IOps
1 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
Ваше мнение важно для нас для улучшения нашего сервиса