SSD

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2200/1600 МБайт/с

400 ГБ, M.2 22110, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3000/750 МБайт/с, случайный доступ: 225000/45000 IOps

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6700 МБайт/с, SLC-кэш

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5200 МБайт/с, совместимость с PS5

M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 95000/35000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы TLC, последовательный доступ: 7100/6000 МБайт/с, случайный доступ: 1150000/200000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7100/6500 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps, совместимость с PS5

7 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 530/500 МБайт/с, случайный доступ: 97000/50000 IOps

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6600 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1100000 IOps, совместимость с PS5

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6700 МБайт/с, DRAM-буфер

1.92 ТБ, 2.5", SAS 3

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Innogrit IG5220, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4950/4000 МБайт/с, случайный доступ: 510000/670000 IOps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 93000/80000 IOps

2.5", U.2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6500/3400 MBps, случайный доступ: 700000/170000 IOps

1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 91000/53000 IOps

2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND

3.2 ТБ, 2.5", SAS 4 (24G), микросхемы TLC, последовательный доступ: 4200/3650 МБайт/с, случайный доступ: 720000/340000 IOps

7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/34000 IOps

2.5", PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2000 MBps, случайный доступ: 540000/50000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер