Процессоры

Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 4.7/3.5 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 71W

Ice Lake, LGA4189, 24 ядра, частота 3.5/2.8 ГГц, кэш 1 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 230W

Rome, SP3, 32 ядра, частота 3.4/2.9 ГГц, кэш 192 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 225W

2021 г, Ice Lake, LGA4189, 16 ядер, 32 потока, частота 3.4/2.4 ГГц, кэш 24 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 135W

Rome, SP3, 24 ядра, частота 3.2/2.3 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 155W

2023 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 20 ядер, 28 потоков, частота 5.6/3.4 ГГц, кэш 28 МБ + 33 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.5/2.8 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

2020 г, Comet Lake, LGA1200, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.1/3.8 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

2021 г, Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.1/2.8 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

2019 г, Matisse, AM4, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.4/3.6 ГГц, кэш 4 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Ice Lake, LGA4189, 18 ядер, частота 3.6/3 ГГц, кэш 39 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

2021 г, Cezanne, AM4, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.4/3.9 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Cascade Lake, LGA3647, 12 ядер, частота 4.5/3.6 ГГц, кэш 33 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 205W

2021 г, Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.8/2.9 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 5/3.7 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

Skylake, LGA2066, 6 ядер, частота 3.9/3.6 ГГц, кэш 8.25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 140W

2023 г, Raptor Lake, LGA1700, 10 ядер, 16 потоков, частота 4.6/2.5 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 148W

Cascade Lake, LGA3647, 22 ядра, частота 3.7/2.1 ГГц, кэш 30.25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 140W

2021 г, Cezanne, AM4, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.4/3.9 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

2021 г, Ice Lake, LGA4189, 8 ядер, 16 потоков, частота 3.6/2.8 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 105W

Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, частота 5.6/2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W