Процессоры

2021 г, Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.1/2.8 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

Genoa, SP5, 128 ядер, частота 3.1/2.25 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 400W

Cooper Lake, LGA4189, 28 ядер, частота 4.2/2.3 ГГц, кэш 1 МБ + 33 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

Ice Lake, LGA4189, 18 ядер, частота 3.6/3 ГГц, кэш 39 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

2024 г, Granite Ridge, AM5, 16 ядер, 32 потока, частота 5.7/4.3 ГГц, кэш 16 МБ + 64 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 170W

SP3, 24 ядра, частота 4/2.85 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W

Ice Lake, LGA4189, 28 ядер, частота 3.5/2.6 ГГц, кэш 42 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 235W

2021 г, Alder Lake, LGA1700, 12 ядер, 20 потоков, частота 5/3.6 ГГц, кэш 12 МБ + 25 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 190W

Genoa, SP5, 64 ядра, частота 3.75/3.1 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 400W

Cascade Lake, LGA3647, 20 ядер, частота 3.9/2.5 ГГц, кэш 27.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

2022 г, Raphael, AM5, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.4/4.5 ГГц, кэш 8 МБ + 32 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 105W

Cezanne, AM4, 8 ядер, частота 4.6/3.8 ГГц, кэш 4 Мб + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

Cascade Lake, LGA3647, 18 ядер, частота 3.9/2.6 ГГц, кэш 24.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

2019 г, Cascade Lake, LGA3647, 12 ядер, 24 потока, частота 4.2/3.3 ГГц, кэш 24.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

2021 г, Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.3/3.5 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

Cascade Lake, LGA3647, 28 ядер, частота 4/2.2 ГГц, кэш 38.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

2023 г, Raptor Lake, LGA1700, 4 ядра, 8 потоков, частота 4.5/3.4 ГГц, кэш 5 МБ + 12 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 110W

2021 г, Alder Lake, LGA1700, 12 ядер, 20 потоков, частота 5/3.6 ГГц, кэш 12 МБ + 25 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 190W

Genoa, SP5, 84 ядра, частота 3.7/2.25 ГГц, кэш 384 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 300W

2022 г, Raptor Lake, LGA1700, 16 ядер, 24 потока, частота 5.4/3.4 ГГц, кэш 24 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

Alder Lake, LGA1700, 16 ядер, частота 5.1/1.8 ГГц, кэш 14 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 202W